سامسونج تؤكد على تطوير الجيل الثالث من ذاكرة DDR4 بدقة 10 نانومتر

سامسونج تؤكد على تطوير الجيل الثالث من ذاكرة DDR4 بدقة 10 نانومتر

تبدأ شركة سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 المميزة بدقة تصنيع 10 نانومتر خلال النصف الثاني من هذا العام، حيث من المقرر أن تأتي ذاكرة 1z-nm DRAM بسعة 8 جيجا بايت.

تبدأ شركة سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 المميزة بدقة تصنيع 10 نانومتر خلال النصف الثاني من هذا العام، حيث من المقرر أن تأتي ذاكرة 1z-nm DRAM بسعة 8 جيجا بايت.

aligncenter size-full wp-image-224296

أعلنت شركة سامسونج مؤخراً عن تطوير ذاكرة 1z-nm 8Gb DDR4 على أن يبدأ الإنتاج الضخم في النصف الثاني من عام 2019، لتدعم الجيل القادم من الخوادم وأجهزة الحاسب المتطورة المقرر إطلاقها في 2020.

ومن المقرر وفقاً لتصريحات سامسونج أن تضع ذاكرة 1z-nm DRAM النواة للجيل القادم من واجهات DRAM، والتي يأتي من بينها DDR5، و LPDDR5، وأيضاً GDDR6.

وتؤكد العملاق الكوري في تصريحاتها أيضاً على أن الشركة تحرص على مواكبة إحتياجات السوق، لذا تخطط لزيادة إنتاجها من ذاكراة DRAM المطلوبة بشكل كبير في السوق العالمية الآن.

رابط المصدر للخبر

اترك تعليقاً